CSF75R12A6H 34mm Half Bridge IGBT Module
发布时间：2023-6-12 9:58:00
CSF75R12A6H34mmHalfBridgeIGBTModule VCES=1200V，ICnom=75A/ICRM=150A，电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应[详情]
CSF75R17A6 34mm Half Bridge IGBT Module
发布时间：2023-6-12 9:58:00
CSF75R17A634mmHalfBridgeIGBTModule VCES=1700V，ICnom=75A/ICRM=150A，电气特性: 1700V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用[详情]
CSF100R12A6H 34mm Half Bridge IGBT Module
发布时间：2023-6-12 9:58:00
CSF100R12A6H34mmHalfBridgeIGBTModule CES=1200V，ICnom=100A/ICRM=200A，电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型[详情]
CSF100R17A6 34mm Half Bridge IGBT Module
发布时间：2023-6-12 9:58:00
CSF100R17A634mmHalfBridgeIGBTModule VCES=1700V，ICnom=100A/ICRM=200A，电气特性: 1700V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型[详情]
CS3L150R07G6 3-Level IGBT Module
发布时间：2023-6-9 14:04:00
CS3L150R07G63-LevelIGBTModule VCES=650V，ICnom=150A/ICRM=300A，电气特性: 650V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应[详情]
CSF50R12A6H 34mm Half Bridge IGBT Module
发布时间：2023-6-9 11:43:00
CSF50R12A6H34mmHalfBridgeIGBTModule VCES=1200V，ICnom=50A/ICRM=100A，电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应[详情]
CS3L100R07G6 3-Level IGBT Module
发布时间：2023-6-8 13:57:00
CS3L100R07G63-LevelIGBTModule VCES=650V，ICnom=100A/ICRM=200A，电气特性: 650V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三[详情]
ATMEGA168A-AU,ATMEGA64A-AU,ADM2484EBRWZ，光格现货热卖中！
发布时间：2013-2-27 9:47:00
ATMEGA168A-AU,ATMEGA64A-AU,ADM2484EBRWZ，光格大量到货，价格优惠，长期供货，质量保证，发货及时，技术支持，光格长期供应ATMEL产品欢迎广大客户随时来电来函洽谈！！，ATMEGA168A-AU,ATME[详情]
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