电气特性:
650V 沟槽栅/场终止工艺
低开关损耗
正温度系数
典型应用:
三电平应用
UPS
光伏应用
CS3L150R07G6 3-Level IGBT Module
摘要
CS3L150R07G6 3-Level IGBT Module VCES =650V，IC nom =150A / ICRM =300A
深圳市光格集成电路有限公司
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