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CSP100R12B61200V100A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=100A/ICRM=200A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP15R12F61200V15A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=15A/ICRM=30A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP25R12G61200V25A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=25A/ICRM=50A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP25R12H61200V25A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=25A/ICRM=50A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP40R12G61200V40A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=40A/ICRM=80A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP40R12H61200V40A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=40A/ICRM=80A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP50R12H61200V50A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=50A/ICRM=100A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSP75R12B61200V75A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=75A/ICRM=150A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

CSS150R12B61200V150A

  • 品牌:

    科瑞半导体/Corisemi

  • 封装:

    IGBT模块

  • 数量:

    1000

  • 备注:

    电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=150A/ICRM=300A

  • 批号:

    23+

  • 价格:

深圳市光格集成电路有限公司

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    赵先生

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