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    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V,IC nom =100A / ICRM =200A
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    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V,IC nom =150A / ICRM =300A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =1200V,IC nom =40A / ICRM =80A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 OBC UPS 逆变器 VCES =650V,IC nom =50A / ICRM =100A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =650V,IC nom =75A / ICRM =150A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: Solar Inverter Welding Machine UPS VCES =1200V,IC nom =75A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V,IC nom =100A / ICRM =200A
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    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V,IC nom =100A / ICRM =200A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V,IC nom =150A / ICRM =300A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V,IC nom =150A / ICRM =300A
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    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低 Vcesat 正温度系数 典型应用: 电机驱动变频器 不间断电源 VCES =650V,IC nom =200A / ICRM =400A
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    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =200A / ICRM =400A
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    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V,IC nom =200A / ICRM =400A
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    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V,IC nom =200A / ICRM =400A
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    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =300A / ICRM =600A
    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V,IC nom =300A / ICRM =600A
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    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V,IC nom =300A / ICRM =600A
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    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 高压变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V,IC nom =400A / ICRM =800A
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    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =450A / ICRM =900A
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    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =450A / ICRM =900A