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crm200 优势库存
- 品牌SILICON
- 数量10000
- 批号16+
- 封装LCC12
- 说明原装正品价格极优
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CS3L100R07G6650V100A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =100A / ICRM =200A
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CS3L150R07G6650V150A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =150A / ICRM =300A
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CSD40R12A61200V40A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装TO220
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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CSD50R07A6650V50A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装TO220
- 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 充电桩 OBC UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =50A / ICRM =100A
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CSD75R07A6650V75A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装TO220
- 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =75A / ICRM =150A
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CSD75R12I6U1200V75A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装TO220
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: Solar Inverter Welding Machine UPS VCES =1200V，IC nom =75A
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CSF100R12A6H1200V100A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
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CSF100R17A61700V100A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =100A / ICRM =200A
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CSF150R12A6H1200V150A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A
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CSF150R17E61700V150A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =150A / ICRM =300A
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CSF200R07A6650V200A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺低 Vcesat 正温度系数典型应用: 电机驱动变频器不间断电源 VCES =650V，IC nom =200A / ICRM =400A
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CSF200R12E61200V200A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
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CSF200R12E6H1200V200A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
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CSF200R17E61700V200A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =200A / ICRM =400A
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CSF300R12E61200V300A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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CSF300R12E6H1200V300A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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CSF300R17E61700V300A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =300A / ICRM =600A
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CSF400R17E61700V400A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 高压变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =400A / ICRM =800A
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CSF450R12D61200V450A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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场效应管/MOSFET

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CS3L100R07G6650V100A 元器件

CS3L150R07G6650V150A 元器件

CSD40R12A61200V40A 元器件

CSD50R07A6650V50A 元器件

CSD75R07A6650V75A 元器件

CSD75R12I6U1200V75A 元器件

CSF100R12A6H1200V100A 元器件

CSF100R17A61700V100A 元器件

CSF150R12A6H1200V150A 元器件

CSF150R17E61700V150A 元器件

CSF200R07A6650V200A 元器件

CSF200R12E61200V200A 元器件

CSF200R12E6H1200V200A 元器件

CSF200R17E61700V200A 元器件

CSF300R12E61200V300A 元器件

CSF300R12E6H1200V300A 元器件

CSF300R17E61700V300A 元器件

CSF400R17E61700V400A 元器件

CSF450R12D61200V450A 元器件

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