CS3L100R07G6650V100A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =100A / ICRM =200A
- 批号：
23+
- 价格：
CS3L150R07G6650V150A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =150A / ICRM =300A
- 批号：
23+
- 价格：
CSD40R12A61200V40A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
TO220
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
- 批号：
23+
- 价格：
CSD50R07A6650V50A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
TO220
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 OBC UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =50A / ICRM =100A
- 批号：
23+
- 价格：
CSD75R07A6650V75A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
TO220
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =75A / ICRM =150A
- 批号：
23+
- 价格：
CSD75R12I6U1200V75A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
TO220
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: Solar Inverter Welding Machine UPS VCES =1200V，IC nom =75A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF100R12A6H1200V100A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF100R17A61700V100A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =100A / ICRM =200A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF150R12A6H1200V150A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF150R17E61700V150A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =150A / ICRM =300A
- 批号：
23+
- 价格：
深圳市光格集成电路有限公司
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