CSF50R12A6H1200V50A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF600R12D61200V600A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =600A / ICRM =1200A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF75R12A6H1200V75A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =75A / ICRM =150A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF75R17A61700V75A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =75A / ICRM =150A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP100R12B61200V100A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP15R12F61200V15A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =15A / ICRM =30A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP25R12G61200V25A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP25R12H61200V25A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP40R12G61200V40A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
- 批号：
23+
- 价格：
CSP40R12H61200V40A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
- 批号：
23+
- 价格：
深圳市光格集成电路有限公司
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