CSF200R12E61200V200A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF200R12E6H1200V200A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF200R17E61700V200A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =200A / ICRM =400A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF300R12E61200V300A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF300R12E6H1200V300A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF300R17E61700V300A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =300A / ICRM =600A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF400R17E61700V400A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 高压变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =400A / ICRM =800A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF450R12D61200V450A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF450R12E61200V450A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
- 批号：
23+
- 价格：
CSF450R12E6B1200V450A
- 品牌：
科瑞半导体/Corisemi
- 封装：
IGBT模块
- 数量：
1000
- 备注：
电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
- 批号：
23+
- 价格：
深圳市光格集成电路有限公司
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