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  • CS3L100R07G6650V100A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =100A / ICRM =200A
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  • CS3L150R07G6650V150A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =150A / ICRM =300A
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  • CSD40R12A61200V40A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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  • CSD50R07A6650V50A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 OBC UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =50A / ICRM =100A
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  • CSD75R07A6650V75A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 充电桩 UPS 逆变器 VCES =650V，IC nom =75A / ICRM =150A
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  • CSD75R12I6U1200V75A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装TO220
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: Solar Inverter Welding Machine UPS VCES =1200V，IC nom =75A
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  • CSF100R12A6H1200V100A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
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  • CSF100R17A61700V100A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =100A / ICRM =200A
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  • CSF150R12A6H1200V150A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A
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  • CSF150R17E61700V150A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =150A / ICRM =300A
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  • CSF200R07A6650V200A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低 Vcesat 正温度系数 典型应用: 电机驱动变频器 不间断电源 VCES =650V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF200R12E61200V200A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF200R12E6H1200V200A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF200R17E61700V200A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF300R12E61200V300A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF300R12E6H1200V300A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF300R17E61700V300A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF400R17E61700V400A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 高压变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =400A / ICRM =800A
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  • CSF450R12D61200V450A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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  • CSF450R12E61200V450A

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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