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  • CSF200R12E6H1200V200A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF200R17E61700V200A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =200A / ICRM =400A
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  • CSF300R12E61200V300A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF300R12E6H1200V300A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF300R17E61700V300A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =300A / ICRM =600A
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  • CSF400R17E61700V400A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 高压变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =400A / ICRM =800A
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  • CSF450R12E61200V450A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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  • CSF450R12E6B1200V450A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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  • CSF450R17D61700V450A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =450A / ICRM =900A
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  • CSF450R12D61200V450A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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  • CSF600R12D61200V600A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =600A / ICRM =1200A
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  • CSP15R12F61200V15A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =15A / ICRM =30A
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  • CSP25R12G61200V25A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
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  • CSP25R12H61200V25A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
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  • CSP40R12G61200V40A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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  • CSP40R12H61200V40A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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  • CSP50R12H61200V50A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A
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  • CSP75R12B61200V75A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =75A / ICRM =150A
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  • CSP100R12B61200V100A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
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  • CSS150R12B61200V150A元器件

    • 品牌科瑞半导体/Corisemi
    • 数量1000
    • 批号23+
    • 封装IGBT模块
    • 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A
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