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CSF450R12E61200V450A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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CSF450R12E6B1200V450A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A
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CSF450R17D61700V450A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =450A / ICRM =900A
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CSF50R12A6H1200V50A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A
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CSF600R12D61200V600A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =600A / ICRM =1200A
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CSF75R12A6H1200V75A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 逆变焊机感应加热高频开关应用逆变器 VCES =1200V，IC nom =75A / ICRM =150A
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CSF75R17A61700V75A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器 UPS 伺服逆变器 VCES =1700V，IC nom =75A / ICRM =150A
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CSP100R12B61200V100A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A
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CSP15R12F61200V15A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =15A / ICRM =30A
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CSP25R12G61200V25A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
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CSP25R12H61200V25A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A
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CSP40R12G61200V40A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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CSP40R12H61200V40A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A
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CSP50R12H61200V50A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A
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CSP75R12B61200V75A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =75A / ICRM =150A
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CSS150R12B61200V150A 元器件
- 品牌科瑞半导体/Corisemi
- 数量1000
- 批号23+
- 封装IGBT模块
- 说明电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺低开关损耗正温度系数典型应用: 变频器伺服逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A
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CD4013BM96 常用库存
- 品牌TI
- 数量110000
- 批号21+/22+
- 封装SOIC14
- 说明15年光格只做原装正品
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CDCLVC1104PWR 常用库存
- 品牌TI
- 数量2000
- 批号21+
- 封装BGA
- 说明15年光格只做原装正品
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CDCLVC1104PWR 常用库存
- 品牌TI/德州仪器
- 数量2000
- 批号21+
- 封装BGA
- 说明15年光格只做原装正品
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CDZVT2R10B 常用库存
- 品牌ROHM
- 数量16000
- 批号21+
- 封装VMN2M (SOD-923) [1.00 x 0.60 x
- 说明15年光格只做原装正品
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场效应管/MOSFET

CSF450R12E61200V450A 元器件

CSF450R12E6B1200V450A 元器件

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CSF50R12A6H1200V50A 元器件

CSF600R12D61200V600A 元器件

CSF75R12A6H1200V75A 元器件

CSF75R17A61700V75A 元器件

CSP100R12B61200V100A 元器件

CSP15R12F61200V15A 元器件

CSP25R12G61200V25A 元器件

CSP25R12H61200V25A 元器件

CSP40R12G61200V40A 元器件

CSP40R12H61200V40A 元器件

CSP50R12H61200V50A 元器件

CSP75R12B61200V75A 元器件

CSS150R12B61200V150A 元器件

CD4013BM96 常用库存

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